Мемристоры являются важным недостающим дополнением к стандартным элементам электронных схем – транзистору, резистору и конденсатору. Мемристор представляет собой пассивный логический элемент, изменяющий и сохраняющий сопротивление под действием проходящего через него электрического тока.

Стэн Уильямс, старший научный сотрудник HP, на конференции IEF2011 заявил, что технология, призванная заменить нынешнюю флэш-память, должна встать на конвейер уже через 18 месяцев, а альтернатива оперативной памяти DRAM должна пойти в массовое производство через 3-4 года. Вместе с созданием замены флэш-памяти компания HP стремится создать и собственные твердотельные SSD-накопители. По словам Уильямса, будущие образцы оперативной и постоянной памяти будут на два порядка более эффективными по сравнению с нынешними технологиями с точки зрения затрат энергии на переключение состояния элементов.

Технология HP позволяет размещать слои элементов памяти прямо на поверхности процессора – предполагается, что такой подход поможет производить очень быстрые и мощные интегрированные микросхемы класса «полная система на одном чипе». Как говорит сам Уильямс, отказ от размещения памяти в отдельных микросхемах позволит выполнить эмпирический «закон Мура» на 20 лет вперед. Уильямс признает, что, несмотря на то, что сейчас опытное производство выпустило уже сотни пластин с мемристорами, конечная технология еще далека от готовности к серийному производству. Тем не менее, реализация мемсристоров в виде тончайшей пленки на базе двуокиси титана позволяет разместить произвольное число слоев памяти прямо на центральном процессоре. Теоретическая плотность запоминающих элементов на базе мемристоров в слое толщиной 5 нанометров составляет до 500 млрд. элементов на один слой.

Источник:Computer World и EE Times.

Просмотров: 830 Мне нравится