А кто здесь сейчас: |
Онлайн всего: 17 Гостей: 17 Пользователей: 0 Именинники:
eGames(31), vintal(36), MaR1os(33), _SYSTEM_ERROR_(95), @nd®ey(42), cepega(30), cepega99(27), nikkeim(30), Dollar$(28), canifol(30), Хроманожк@(29), ЛегИОнеР(28), defender455(27), Наташка:)(30), MяСкО(28), bilders(29), lave48(28), AD56(30), LLIyJleP(36), Федя(24), fl18524a(2026), бос(25), eGames0264(29), Greshneq(29), denis_strelkow(28), Херувим(cepega)(36), zsada(36), mordo1303(125)
Зарегистрировано расслабушников: 9933
|
Vampiro Репутация: 20357 Форум постов: 12929 Новостей: 679 Комментов: 702 Блоги: 18 Статьи: 39
| St@rik Репутация: 14441 Форум постов: 280 Новостей: 0 Комментов: 0 Блоги: 0 Статьи: 0
| BOMBILA Репутация: 11320 Форум постов: 3081 Новостей: 603 Комментов: 213 Блоги: 8 Статьи: 0
| shellshock Репутация: 10849 Форум постов: 575 Новостей: 142 Комментов: 33 Блоги: 0 Статьи: 1
| Jhon Репутация: 10068 Форум постов: 1 Новостей: 0 Комментов: 0 Блоги: 0 Статьи: 0
| Nice_biceps Репутация: 7420 Форум постов: 2305 Новостей: 666 Комментов: 110 Блоги: 9 Статьи: 0
| GOSUMAN Репутация: 7397 Форум постов: 988 Новостей: 0 Комментов: 94 Блоги: 12 Статьи: 0
| Юленька Репутация: 7356 Форум постов: 679 Новостей: 0 Комментов: 61 Блоги: 5 Статьи: 0
| ҲửŦṀ€Ħ Репутация: 6847 Форум постов: 1837 Новостей: 856 Комментов: 41 Блоги: 0 Статьи: 40
| Desmond_Ferrcon Репутация: 6675 Форум постов: 2711 Новостей: 27 Комментов: 62 Блоги: 0 Статьи: 1
|
|
Главная » 2012 » Апрель » 3 » Создан гибкий и прозрачный микрочип памяти
Создан гибкий и прозрачный микрочип памяти | 22:13 |
Исследователи из Университета Райса (США) разработали новый тип памяти, которая в перспективе может стать альтернативой флеш-накопителям в портативных устройствах. Продемонстрированный образец, созданный командой учёных под руководством химика Джеймса Тура (James Tour), обладает прозрачностью и гибкостью. Он выдерживает температуры свыше 500 градусов Цельсия, благодаря чему может функционировать в экстремальных условиях.
| 
|
Video streaming by Ustream
Разработка основывается на открытии, сделанном в 2010 году: тогда команде г-на Тура удалось создать элемент памяти на основе оксида кремния SiOх. Такой элемент представляет собой трёхслойную структуру, в центре которой находится диэлектрик (оксид кремния), а по краям — полупроводящие пластины поликристаллического кремния, которые служат электродами. При пропускании электрического тока между ними в слое SiOх образуется проводящая цепочка нанокристаллов кремния размером около 5 нм, выполняющая функции переключателя. Исследователи полагают, что показанный образец памяти ещё на шаг приближает появление гибкой электроники, в частности мобильных телефонов и компьютеров, способных к трансформации. Помимо гибкости и прозрачности, новая память имеет ещё одно достоинство: её элементы можно организовать в трёхмерный массив. Благодаря этому повышается плотность хранения информации и уменьшаются габариты конечных устройств. Исследователи уже ведут переговоры с производителями об организации выпуска чипов памяти нового поколения. Источник:compulenta.ru
|
|
Категория: Компьютерные новости |
Просмотров: 780 |
Добавил: GIZMO
|
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи. [ Регистрация | Вход ]
|
|